三维碗状结构CoS2/C复合材料的制备及其在超级电容器中的应用

以二氧化硅为硬模板,采用碳化和硫化工艺制备出具有三维碗状结构的CoS_2/C复合材料.利用XRD,Raman和XPS研究了所制备材料的相组成,晶体结构,元素组成和价态.利用SEM和TEM对其微观形貌进行了表征,并采用电化学工作站分析了CoS_2/C作为超级电容器电极材料的电化学性能.结果表明:三维碗状结构CoS_2/C复合材料具有优良的电化学性能,在1 A/g的电流密度下比容量可以达到466 F/g.将CoS_2/C和N-rGO分别作为正极和负极组装的水系非对称超级电容器器件的电压窗口可以拓宽到1.6 V.该器件在0.5 A/g的电流密度下能量密度可以达到13.6 wh/kg,功率密度达到374.5 w/kg.在3 A/g的电流密度下经过5000次循环充放电后容量保持率达到了87%.     

盐酸氨溴索有关物质的合成

为控制盐酸氨溴索质量,以外购的有关物质E(2-氨基-3,5-二溴苯甲醛)为起始原料,合成了4个有关物质:2-氨基-3,5-二溴苯甲醇(有关物质A)、反式-4-(6,8-二溴-1,4-二氢喹唑啉-3(2H)-基)环己醇(有关物质B)、反式-4-[[(E)-2-氨基-3,5-二溴苯亚甲基]氨基]环己醇(有关物质C)和顺式-4-[(2-氨基-3,5-二溴苯甲基)氨基]环己醇(有关物质D),通过~1HNMR、~(13)CNMR和MS对产物结构进行了确证,并优化了醛胺缩合和还原反应条件。合成的这4个有关物质可作为盐酸氨溴索质量控制的杂质对照品。     

稀土石膏常压酸化法制备硫酸钙晶须的研究

以含稀土的石膏为原料运用常压酸化法合成硫酸钙晶须,探讨了不同工艺条件对生成的硫酸钙晶须形貌的影响,同时还考察了晶型助长剂的种类和晶型助长剂的含量对硫酸钙晶须生长的影响,利用SEM和XRD分别对硫酸钙晶须的表面形貌、物相特征做了表征分析。实验得到制备硫酸钙晶须的最佳的反应条件：稀土石膏质量浓度为0.22 g/mL、反应时间为25 min、盐酸浓度为2.8 mol/L、反应温度为70 ℃、陈化时间为4 h,在此条件下合成的硫酸钙晶须平均长度为61 μm,平均长径比为30.5;通过对比实验选出了CuCl₂作为促进硫酸钙晶须生长的助长剂,在添加5%（质量分数）的CuCl₂的情况下可使硫酸钙晶须长径比从30.5增至41,长度从61 μm增至81 μm。     

哈得4联合站技术改造

位于塔克拉玛干大沙漠腹地的哈得4油田,2004年成为全国最大的沙漠油田,2005年产量达到200×104t。在对联合站存在问题逐一分析的基础上,提出了技术改造的措施。现场采集的运行数据表明技术改造效果明显,增强了流程可靠性,提高了自动化水平,降低了能耗。     

普适定常流内可逆制冷机循环模型的炯经济性能优化

用有限时间热力学方法分析工作在恒温热源TH、TL之间内可逆普适制冷机循环模型的炯经济性能，导出循环利润率与工质温比、制冷系数与工质温比的关系式，和利润率与制冷系数的特性关系。所得结果包含了内可逆Carnot、Diesel、Otto、Atkinson和Brayton制冷循环的有限时间炯经济性能。     

LLL1030新型煤泥离心脱水机的设计与结构

阐述了筛篮倾角为20°的LLL1030新型煤泥离心脱水机的结构和主要技术特征,在综合分析国内、外主要设备类型的基础上,对该新型煤泥离心脱水机的主要参数进行了设计。给出了设计思路,并从分离因数、筛篮倾角、物料在脱水区的停留时间、生产能力、功率消耗和电机选用等多方面进行了相应的分析。     

关于单位工程施工进度计划两种表示方式的研究

通过实例指出单位工程施工进度计划的两种表示形式在应用中出现的不同结果,并分析了其中的原因。     

碱对AlMCM-41介孔分子筛合成的影响

分别用NaOH和TEAOH合成了AlMCM 4 1介孔分子筛 ,用XRD、2 7AlMASNMR、SEM、TEM、IR、N2 低温吸附和TG DTA对样品进行了表征和比较。结果表明 ,TEAOH和NaOH对AlMCM 4 1有序结构的影响不同。当硅铝原子比为 2 5或 5 0时 ,用NaOH合成的样品有序性较高 ;而当硅铝比为 15时 ,用TEAOH合成的样品有序性较高。交换成氢型AlMCM 4 1后 ,当硅铝比为 2 5或 15时 ,用TEAOH合成的样品抗水解性能优于用NaOH合成的样品 ,其酸量也较大。用TEAOH合成的样品粒度小 ,比表面积、孔径和孔体积都大于用NaOH合成的样品     

移动通信服务质量评价研究

介绍服务质量评价的理论基础及内容,提出一种加权SERVPERF的评价模型,通过一个调查实例来测评移动通信服务质量,并提出改进服务质量的意见和建议.     

建设宁夏石嘴山千吨级多晶硅产业基地的有利条件及优势研究

多晶硅是重要的电子与半导体原材料,建设千吨级硅产业基地具有重要的战略意义与经济效益。通过对建设千吨级多晶硅宁夏石嘴山产业基地的基础条件与优势进行探讨,认为在宁夏石嘴山建设千吨级多晶硅产业基地具有得天独厚的优势与条件,是必要和可行的。